Блог

Aug 13, 2023

В Infineon H7 650V IGBT добавлен диод...

Устройства H7 IGBT оснащены совмещенным диодом EC7 с усовершенствованной конструкцией с управлением эмиттером в сочетании с высокоскоростной технологией для удовлетворения растущей потребности в экологически сознательном и

В устройствах H7 IGBT используется совмещенный диод EC7 с усовершенствованной конструкцией с управлением эмиттером в сочетании с высокоскоростной технологией для удовлетворения растущей потребности в экологически безопасных и высокоэффективных решениях в области электропитания.

В IGBT7 H7 используется новейшая траншейная технология микросхем для улучшения управления и производительности устройства, что приводит к значительному снижению потерь, повышению эффективности и более высокой удельной мощности. Устройство предназначено для струнных инверторов, систем хранения энергии (ESS), зарядных устройств для электромобилей и традиционных приложений, таких как промышленные ИБП и сварочные работы.

В дискретном корпусе H7 может выдавать ток от 40 А до 150 А и предлагается в четырех различных типах корпусов: TO-247-3 HCC, TO-247-4, TO-247-3 Plus и TO-247-4 Plus.

Вариант H7 TO-247-3 HCC отличается большой длиной пути утечки. Для повышения производительности 4-контактные корпуса Кельвина TO-247 снижают потери при переключении, но также предлагают дополнительные преимущества, такие как более низкое перенапряжение, минимизированные потери проводимости и самые низкие потери обратного тока. Это упрощает конструкцию и сводит к минимуму необходимость параллельного подключения устройств.

IGBT H7 на 650 В также обладает надежной влагостойкостью, что обеспечивает надежную работу в суровых условиях, и сертифицирован для промышленного использования в соответствии с соответствующими тестами JEDEC47/20/22, особенно HV-H3TRB, что делает его хорошо подходящим для применения вне помещений.

TRENCHSTOP IGBT 7 H7 можно заказать уже сейчас. Кроме того, доступны квалификационные образцы.

www.infineon.com/discreteigbt7